Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB80P06P
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
Číslo dílu
SPB80P06P
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
340W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5033pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30020 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB80P06P
SPB80P06P Elektronické komponenty
SPB80P06P Odbyt
SPB80P06P Dodavatel
SPB80P06P Distributor
SPB80P06P Datová tabulka
SPB80P06P Fotky
SPB80P06P Cena
SPB80P06P Nabídka
SPB80P06P Nejnižší cena
SPB80P06P Vyhledávání
SPB80P06P Nákup
SPB80P06P Chip