Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDF602SI

IXDF602SI

2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV
Číslo dílu
IXDF602SI
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Inverting, Non-Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC-EP
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10789 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXDF602SI
IXDF602SI Elektronické komponenty
IXDF602SI Odbyt
IXDF602SI Dodavatel
IXDF602SI Distributor
IXDF602SI Datová tabulka
IXDF602SI Fotky
IXDF602SI Cena
IXDF602SI Nabídka
IXDF602SI Nejnižší cena
IXDF602SI Vyhledávání
IXDF602SI Nákup
IXDF602SI Chip