Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDF602SIA
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Číslo dílu
IXDF602SIA
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Inverting, Non-Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53960 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDF602SIA
IXDF602SIA Elektronické komponenty
IXDF602SIA Odbyt
IXDF602SIA Dodavatel
IXDF602SIA Distributor
IXDF602SIA Datová tabulka
IXDF602SIA Fotky
IXDF602SIA Cena
IXDF602SIA Nabídka
IXDF602SIA Nejnižší cena
IXDF602SIA Vyhledávání
IXDF602SIA Nákup
IXDF602SIA Chip