Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDI602SI
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Číslo dílu
IXDI602SI
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC-EP
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48431 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDI602SI
IXDI602SI Elektronické komponenty
IXDI602SI Odbyt
IXDI602SI Dodavatel
IXDI602SI Distributor
IXDI602SI Datová tabulka
IXDI602SI Fotky
IXDI602SI Cena
IXDI602SI Nabídka
IXDI602SI Nejnižší cena
IXDI602SI Vyhledávání
IXDI602SI Nákup
IXDI602SI Chip