Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDI602SIA
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Číslo dílu
IXDI602SIA
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16313 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDI602SIA
IXDI602SIA Elektronické komponenty
IXDI602SIA Odbyt
IXDI602SIA Dodavatel
IXDI602SIA Distributor
IXDI602SIA Datová tabulka
IXDI602SIA Fotky
IXDI602SIA Cena
IXDI602SIA Nabídka
IXDI602SIA Nejnižší cena
IXDI602SIA Vyhledávání
IXDI602SIA Nákup
IXDI602SIA Chip