Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDI602SITR
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Číslo dílu
IXDI602SITR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Typ vstupu
Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC-EP
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10705 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDI602SITR
IXDI602SITR Elektronické komponenty
IXDI602SITR Odbyt
IXDI602SITR Dodavatel
IXDI602SITR Distributor
IXDI602SITR Datová tabulka
IXDI602SITR Fotky
IXDI602SITR Cena
IXDI602SITR Nabídka
IXDI602SITR Nejnižší cena
IXDI602SITR Vyhledávání
IXDI602SITR Nákup
IXDI602SITR Chip