Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDN602PI

IXDN602PI

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI
Číslo dílu
IXDN602PI
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
8-DIP
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5971 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXDN602PI
IXDN602PI Elektronické komponenty
IXDN602PI Odbyt
IXDN602PI Dodavatel
IXDN602PI Distributor
IXDN602PI Datová tabulka
IXDN602PI Fotky
IXDN602PI Cena
IXDN602PI Nabídka
IXDN602PI Nejnižší cena
IXDN602PI Vyhledávání
IXDN602PI Nákup
IXDN602PI Chip