Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDN602SI
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Číslo dílu
IXDN602SI
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC-EP
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37351 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDN602SI
IXDN602SI Elektronické komponenty
IXDN602SI Odbyt
IXDN602SI Dodavatel
IXDN602SI Distributor
IXDN602SI Datová tabulka
IXDN602SI Fotky
IXDN602SI Cena
IXDN602SI Nabídka
IXDN602SI Nejnižší cena
IXDN602SI Vyhledávání
IXDN602SI Nákup
IXDN602SI Chip