Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDN602SIA
DUAL LOW SIDE MOSFET DRIVER
Číslo dílu
IXDN602SIA
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50362 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDN602SIA
IXDN602SIA Elektronické komponenty
IXDN602SIA Odbyt
IXDN602SIA Dodavatel
IXDN602SIA Distributor
IXDN602SIA Datová tabulka
IXDN602SIA Fotky
IXDN602SIA Cena
IXDN602SIA Nabídka
IXDN602SIA Nejnižší cena
IXDN602SIA Vyhledávání
IXDN602SIA Nákup
IXDN602SIA Chip