Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDN602SIATR

IXDN602SIATR

2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
Číslo dílu
IXDN602SIATR
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24115 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXDN602SIATR
IXDN602SIATR Elektronické komponenty
IXDN602SIATR Odbyt
IXDN602SIATR Dodavatel
IXDN602SIATR Distributor
IXDN602SIATR Datová tabulka
IXDN602SIATR Fotky
IXDN602SIATR Cena
IXDN602SIATR Nabídka
IXDN602SIATR Nejnižší cena
IXDN602SIATR Vyhledávání
IXDN602SIATR Nákup
IXDN602SIATR Chip