Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDN602SITR
2A 8SOIC EXP MTL DUAL NON INVERT
Číslo dílu
IXDN602SITR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC-EP
Zdroj napětí
4.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36212 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDN602SITR
IXDN602SITR Elektronické komponenty
IXDN602SITR Odbyt
IXDN602SITR Dodavatel
IXDN602SITR Distributor
IXDN602SITR Datová tabulka
IXDN602SITR Fotky
IXDN602SITR Cena
IXDN602SITR Nabídka
IXDN602SITR Nejnižší cena
IXDN602SITR Vyhledávání
IXDN602SITR Nákup
IXDN602SITR Chip