Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXBF50N360
IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
Číslo dílu
IXBF50N360
Výrobce/značka
Série
BIMOSFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Výkon - Max
290W
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS i4-PAC™
Reverzní doba zotavení (trr)
1.7µs
Proud – kolektor (Ic) (Max)
70A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
3600V
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 50A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
420A
Přechod energie
-
Poplatky za bránu
210nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
46ns/205ns
Zkouška stavu
960V, 50A, 5 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12356 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXBF50N360
IXBF50N360 Elektronické komponenty
IXBF50N360 Odbyt
IXBF50N360 Dodavatel
IXBF50N360 Distributor
IXBF50N360 Datová tabulka
IXBF50N360 Fotky
IXBF50N360 Cena
IXBF50N360 Nabídka
IXBF50N360 Nejnižší cena
IXBF50N360 Vyhledávání
IXBF50N360 Nákup
IXBF50N360 Chip