Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXBT20N360HV
IGBT 3600V 70A TO-268HV
Číslo dílu
IXBT20N360HV
Výrobce/značka
Série
BIMOSFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Výkon - Max
430W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Reverzní doba zotavení (trr)
1.7µs
Proud – kolektor (Ic) (Max)
70A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
3600V
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 20A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
220A
Přechod energie
15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Poplatky za bránu
110nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
18ns/238ns
Zkouška stavu
1500V, 20A, 10 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18588 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXBT20N360HV
IXBT20N360HV Elektronické komponenty
IXBT20N360HV Odbyt
IXBT20N360HV Dodavatel
IXBT20N360HV Distributor
IXBT20N360HV Datová tabulka
IXBT20N360HV Fotky
IXBT20N360HV Cena
IXBT20N360HV Nabídka
IXBT20N360HV Nejnižší cena
IXBT20N360HV Vyhledávání
IXBT20N360HV Nákup
IXBT20N360HV Chip