IXDI502SIAT/R
IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC
Číslo dílu
IXDI502SIAT/R
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Typ vstupu
Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
4.5 V ~ 30 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
7.5ns, 6.5ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27179 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDI502SIAT/R
IXDI502SIAT/R Elektronické komponenty
IXDI502SIAT/R Odbyt
IXDI502SIAT/R Dodavatel
IXDI502SIAT/R Distributor
IXDI502SIAT/R Datová tabulka
IXDI502SIAT/R Fotky
IXDI502SIAT/R Cena
IXDI502SIAT/R Nabídka
IXDI502SIAT/R Nejnižší cena
IXDI502SIAT/R Vyhledávání
IXDI502SIAT/R Nákup
IXDI502SIAT/R Chip