Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXDN430YI
IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5
Číslo dílu
IXDN430YI
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Zdroj napětí
8.5 V ~ 35 V
Typ kanálu
Single
Řízená konfigurace
Low-Side
Počet řidičů
1
Typ brány
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 3.5V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
30A, 30A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
-
Časy nahoru/dolů (Tip)
18ns, 16ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47964 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXDN430YI
IXDN430YI Elektronické komponenty
IXDN430YI Odbyt
IXDN430YI Dodavatel
IXDN430YI Distributor
IXDN430YI Datová tabulka
IXDN430YI Fotky
IXDN430YI Cena
IXDN430YI Nabídka
IXDN430YI Nejnižší cena
IXDN430YI Vyhledávání
IXDN430YI Nákup
IXDN430YI Chip