Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFC60N20
MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Číslo dílu
IXFC60N20
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS220™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS220™
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20530 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFC60N20
IXFC60N20 Elektronické komponenty
IXFC60N20 Odbyt
IXFC60N20 Dodavatel
IXFC60N20 Distributor
IXFC60N20 Datová tabulka
IXFC60N20 Fotky
IXFC60N20 Cena
IXFC60N20 Nabídka
IXFC60N20 Nejnižší cena
IXFC60N20 Vyhledávání
IXFC60N20 Nákup
IXFC60N20 Chip