Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH120N20P
MOSFET N-CH 200V 120A TO-247
Číslo dílu
IXFH120N20P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
714W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6410 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH120N20P
IXFH120N20P Elektronické komponenty
IXFH120N20P Odbyt
IXFH120N20P Dodavatel
IXFH120N20P Distributor
IXFH120N20P Datová tabulka
IXFH120N20P Fotky
IXFH120N20P Cena
IXFH120N20P Nabídka
IXFH120N20P Nejnižší cena
IXFH120N20P Vyhledávání
IXFH120N20P Nákup
IXFH120N20P Chip