Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH120N25T
MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
Číslo dílu
IXFH120N25T
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46281 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH120N25T
IXFH120N25T Elektronické komponenty
IXFH120N25T Odbyt
IXFH120N25T Dodavatel
IXFH120N25T Distributor
IXFH120N25T Datová tabulka
IXFH120N25T Fotky
IXFH120N25T Cena
IXFH120N25T Nabídka
IXFH120N25T Nejnižší cena
IXFH120N25T Vyhledávání
IXFH120N25T Nákup
IXFH120N25T Chip