Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH12N90P
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
Číslo dílu
IXFH12N90P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
380W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8788 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH12N90P
IXFH12N90P Elektronické komponenty
IXFH12N90P Odbyt
IXFH12N90P Dodavatel
IXFH12N90P Distributor
IXFH12N90P Datová tabulka
IXFH12N90P Fotky
IXFH12N90P Cena
IXFH12N90P Nabídka
IXFH12N90P Nejnižší cena
IXFH12N90P Vyhledávání
IXFH12N90P Nákup
IXFH12N90P Chip