Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH15N100P
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
Číslo dílu
IXFH15N100P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
543W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
760 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
97nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44931 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH15N100P
IXFH15N100P Elektronické komponenty
IXFH15N100P Odbyt
IXFH15N100P Dodavatel
IXFH15N100P Distributor
IXFH15N100P Datová tabulka
IXFH15N100P Fotky
IXFH15N100P Cena
IXFH15N100P Nabídka
IXFH15N100P Nejnižší cena
IXFH15N100P Vyhledávání
IXFH15N100P Nákup
IXFH15N100P Chip