Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH160N15T2
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
Číslo dílu
IXFH160N15T2
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
880W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
253nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
15000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19245 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH160N15T2
IXFH160N15T2 Elektronické komponenty
IXFH160N15T2 Odbyt
IXFH160N15T2 Dodavatel
IXFH160N15T2 Distributor
IXFH160N15T2 Datová tabulka
IXFH160N15T2 Fotky
IXFH160N15T2 Cena
IXFH160N15T2 Nabídka
IXFH160N15T2 Nejnižší cena
IXFH160N15T2 Vyhledávání
IXFH160N15T2 Nákup
IXFH160N15T2 Chip