Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH16N50P
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
Číslo dílu
IXFH16N50P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38709 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH16N50P
IXFH16N50P Elektronické komponenty
IXFH16N50P Odbyt
IXFH16N50P Dodavatel
IXFH16N50P Distributor
IXFH16N50P Datová tabulka
IXFH16N50P Fotky
IXFH16N50P Cena
IXFH16N50P Nabídka
IXFH16N50P Nejnižší cena
IXFH16N50P Vyhledávání
IXFH16N50P Nákup
IXFH16N50P Chip