Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH17N80Q
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
Číslo dílu
IXFH17N80Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17089 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH17N80Q
IXFH17N80Q Elektronické komponenty
IXFH17N80Q Odbyt
IXFH17N80Q Dodavatel
IXFH17N80Q Distributor
IXFH17N80Q Datová tabulka
IXFH17N80Q Fotky
IXFH17N80Q Cena
IXFH17N80Q Nabídka
IXFH17N80Q Nejnižší cena
IXFH17N80Q Vyhledávání
IXFH17N80Q Nákup
IXFH17N80Q Chip