Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
Číslo dílu
IXFH20N100P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
660W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
126nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42124 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH20N100P
IXFH20N100P Elektronické komponenty
IXFH20N100P Odbyt
IXFH20N100P Dodavatel
IXFH20N100P Distributor
IXFH20N100P Datová tabulka
IXFH20N100P Fotky
IXFH20N100P Cena
IXFH20N100P Nabídka
IXFH20N100P Nejnižší cena
IXFH20N100P Vyhledávání
IXFH20N100P Nákup
IXFH20N100P Chip