Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH20N80P
MOSFET N-CH 800V 20A TO-247
Číslo dílu
IXFH20N80P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
520 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4685pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37925 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH20N80P
IXFH20N80P Elektronické komponenty
IXFH20N80P Odbyt
IXFH20N80P Dodavatel
IXFH20N80P Distributor
IXFH20N80P Datová tabulka
IXFH20N80P Fotky
IXFH20N80P Cena
IXFH20N80P Nabídka
IXFH20N80P Nejnižší cena
IXFH20N80P Vyhledávání
IXFH20N80P Nákup
IXFH20N80P Chip