Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
Číslo dílu
IXFH26N50P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18136 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH26N50P
IXFH26N50P Elektronické komponenty
IXFH26N50P Odbyt
IXFH26N50P Dodavatel
IXFH26N50P Distributor
IXFH26N50P Datová tabulka
IXFH26N50P Fotky
IXFH26N50P Cena
IXFH26N50P Nabídka
IXFH26N50P Nejnižší cena
IXFH26N50P Vyhledávání
IXFH26N50P Nákup
IXFH26N50P Chip