Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH28N50Q
MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
Číslo dílu
IXFH28N50Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30345 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH28N50Q
IXFH28N50Q Elektronické komponenty
IXFH28N50Q Odbyt
IXFH28N50Q Dodavatel
IXFH28N50Q Distributor
IXFH28N50Q Datová tabulka
IXFH28N50Q Fotky
IXFH28N50Q Cena
IXFH28N50Q Nabídka
IXFH28N50Q Nejnižší cena
IXFH28N50Q Vyhledávání
IXFH28N50Q Nákup
IXFH28N50Q Chip