Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH30N50Q3
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Číslo dílu
IXFH30N50Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40007 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH30N50Q3
IXFH30N50Q3 Elektronické komponenty
IXFH30N50Q3 Odbyt
IXFH30N50Q3 Dodavatel
IXFH30N50Q3 Distributor
IXFH30N50Q3 Datová tabulka
IXFH30N50Q3 Fotky
IXFH30N50Q3 Cena
IXFH30N50Q3 Nabídka
IXFH30N50Q3 Nejnižší cena
IXFH30N50Q3 Vyhledávání
IXFH30N50Q3 Nákup
IXFH30N50Q3 Chip