Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH35N30Q
MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD
Číslo dílu
IXFH35N30Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19100 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH35N30Q
IXFH35N30Q Elektronické komponenty
IXFH35N30Q Odbyt
IXFH35N30Q Dodavatel
IXFH35N30Q Distributor
IXFH35N30Q Datová tabulka
IXFH35N30Q Fotky
IXFH35N30Q Cena
IXFH35N30Q Nabídka
IXFH35N30Q Nejnižší cena
IXFH35N30Q Vyhledávání
IXFH35N30Q Nákup
IXFH35N30Q Chip