Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Číslo dílu
IXFH50N60X
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
660W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
73 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
116nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4660pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7462 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH50N60X
IXFH50N60X Elektronické komponenty
IXFH50N60X Odbyt
IXFH50N60X Dodavatel
IXFH50N60X Distributor
IXFH50N60X Datová tabulka
IXFH50N60X Fotky
IXFH50N60X Cena
IXFH50N60X Nabídka
IXFH50N60X Nejnižší cena
IXFH50N60X Vyhledávání
IXFH50N60X Nákup
IXFH50N60X Chip