Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH52N50P2
MOSFET N-CH 500V 52A TO247
Číslo dílu
IXFH52N50P2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHV™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
113nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49234 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH52N50P2
IXFH52N50P2 Elektronické komponenty
IXFH52N50P2 Odbyt
IXFH52N50P2 Dodavatel
IXFH52N50P2 Distributor
IXFH52N50P2 Datová tabulka
IXFH52N50P2 Fotky
IXFH52N50P2 Cena
IXFH52N50P2 Nabídka
IXFH52N50P2 Nejnižší cena
IXFH52N50P2 Vyhledávání
IXFH52N50P2 Nákup
IXFH52N50P2 Chip