Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH66N20Q
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
Číslo dílu
IXFH66N20Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21499 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH66N20Q
IXFH66N20Q Elektronické komponenty
IXFH66N20Q Odbyt
IXFH66N20Q Dodavatel
IXFH66N20Q Distributor
IXFH66N20Q Datová tabulka
IXFH66N20Q Fotky
IXFH66N20Q Cena
IXFH66N20Q Nabídka
IXFH66N20Q Nejnižší cena
IXFH66N20Q Vyhledávání
IXFH66N20Q Nákup
IXFH66N20Q Chip