Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH7N100P
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXFH7N100P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, Polar™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2590pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21931 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH7N100P
IXFH7N100P Elektronické komponenty
IXFH7N100P Odbyt
IXFH7N100P Dodavatel
IXFH7N100P Distributor
IXFH7N100P Datová tabulka
IXFH7N100P Fotky
IXFH7N100P Cena
IXFH7N100P Nabídka
IXFH7N100P Nejnižší cena
IXFH7N100P Vyhledávání
IXFH7N100P Nákup
IXFH7N100P Chip