Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH80N65X2-4
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXFH80N65X2-4
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-4
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247-4L
Ztráta energie (max.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46716 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4 Elektronické komponenty
IXFH80N65X2-4 Odbyt
IXFH80N65X2-4 Dodavatel
IXFH80N65X2-4 Distributor
IXFH80N65X2-4 Datová tabulka
IXFH80N65X2-4 Fotky
IXFH80N65X2-4 Cena
IXFH80N65X2-4 Nabídka
IXFH80N65X2-4 Nejnižší cena
IXFH80N65X2-4 Vyhledávání
IXFH80N65X2-4 Nákup
IXFH80N65X2-4 Chip