Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH86N30T
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
Číslo dílu
IXFH86N30T
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
860W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
43 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44601 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH86N30T
IXFH86N30T Elektronické komponenty
IXFH86N30T Odbyt
IXFH86N30T Dodavatel
IXFH86N30T Distributor
IXFH86N30T Datová tabulka
IXFH86N30T Fotky
IXFH86N30T Cena
IXFH86N30T Nabídka
IXFH86N30T Nejnižší cena
IXFH86N30T Vyhledávání
IXFH86N30T Nákup
IXFH86N30T Chip