Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT150N20T
MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
Číslo dílu
IXFT150N20T
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
177nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26102 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT150N20T
IXFT150N20T Elektronické komponenty
IXFT150N20T Odbyt
IXFT150N20T Dodavatel
IXFT150N20T Distributor
IXFT150N20T Datová tabulka
IXFT150N20T Fotky
IXFT150N20T Cena
IXFT150N20T Nabídka
IXFT150N20T Nejnižší cena
IXFT150N20T Vyhledávání
IXFT150N20T Nákup
IXFT150N20T Chip