Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT170N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
Číslo dílu
IXFT170N25X3HV
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268HV
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.4 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44017 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT170N25X3HV
IXFT170N25X3HV Elektronické komponenty
IXFT170N25X3HV Odbyt
IXFT170N25X3HV Dodavatel
IXFT170N25X3HV Distributor
IXFT170N25X3HV Datová tabulka
IXFT170N25X3HV Fotky
IXFT170N25X3HV Cena
IXFT170N25X3HV Nabídka
IXFT170N25X3HV Nejnižší cena
IXFT170N25X3HV Vyhledávání
IXFT170N25X3HV Nákup
IXFT170N25X3HV Chip