Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT24N50Q
MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
Číslo dílu
IXFT24N50Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
230 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16837 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT24N50Q
IXFT24N50Q Elektronické komponenty
IXFT24N50Q Odbyt
IXFT24N50Q Dodavatel
IXFT24N50Q Distributor
IXFT24N50Q Datová tabulka
IXFT24N50Q Fotky
IXFT24N50Q Cena
IXFT24N50Q Nabídka
IXFT24N50Q Nejnižší cena
IXFT24N50Q Vyhledávání
IXFT24N50Q Nákup
IXFT24N50Q Chip