Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT26N50Q TR

IXFT26N50Q TR

MOSFET N-CH 500V 26A TO268
Číslo dílu
IXFT26N50Q TR
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268 (IXFT)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6113 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFT26N50Q TR
IXFT26N50Q TR Elektronické komponenty
IXFT26N50Q TR Odbyt
IXFT26N50Q TR Dodavatel
IXFT26N50Q TR Distributor
IXFT26N50Q TR Datová tabulka
IXFT26N50Q TR Fotky
IXFT26N50Q TR Cena
IXFT26N50Q TR Nabídka
IXFT26N50Q TR Nejnižší cena
IXFT26N50Q TR Vyhledávání
IXFT26N50Q TR Nákup
IXFT26N50Q TR Chip