Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
Číslo dílu
IXFT30N50P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
460W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4150pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19632 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT30N50P
IXFT30N50P Elektronické komponenty
IXFT30N50P Odbyt
IXFT30N50P Dodavatel
IXFT30N50P Distributor
IXFT30N50P Datová tabulka
IXFT30N50P Fotky
IXFT30N50P Cena
IXFT30N50P Nabídka
IXFT30N50P Nejnižší cena
IXFT30N50P Vyhledávání
IXFT30N50P Nákup
IXFT30N50P Chip