Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT30N50Q3
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
Číslo dílu
IXFT30N50Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19784 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT30N50Q3
IXFT30N50Q3 Elektronické komponenty
IXFT30N50Q3 Odbyt
IXFT30N50Q3 Dodavatel
IXFT30N50Q3 Distributor
IXFT30N50Q3 Datová tabulka
IXFT30N50Q3 Fotky
IXFT30N50Q3 Cena
IXFT30N50Q3 Nabídka
IXFT30N50Q3 Nejnižší cena
IXFT30N50Q3 Vyhledávání
IXFT30N50Q3 Nákup
IXFT30N50Q3 Chip