Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT40N50Q
MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
Číslo dílu
IXFT40N50Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
140 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30339 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT40N50Q
IXFT40N50Q Elektronické komponenty
IXFT40N50Q Odbyt
IXFT40N50Q Dodavatel
IXFT40N50Q Distributor
IXFT40N50Q Datová tabulka
IXFT40N50Q Fotky
IXFT40N50Q Cena
IXFT40N50Q Nabídka
IXFT40N50Q Nejnižší cena
IXFT40N50Q Vyhledávání
IXFT40N50Q Nákup
IXFT40N50Q Chip