Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT50N30Q3

IXFT50N30Q3

MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
Číslo dílu
IXFT50N30Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3165pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9385 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFT50N30Q3
IXFT50N30Q3 Elektronické komponenty
IXFT50N30Q3 Odbyt
IXFT50N30Q3 Dodavatel
IXFT50N30Q3 Distributor
IXFT50N30Q3 Datová tabulka
IXFT50N30Q3 Fotky
IXFT50N30Q3 Cena
IXFT50N30Q3 Nabídka
IXFT50N30Q3 Nejnižší cena
IXFT50N30Q3 Vyhledávání
IXFT50N30Q3 Nákup
IXFT50N30Q3 Chip