Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT52N50P2
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
Číslo dílu
IXFT52N50P2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHV™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
113nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23646 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT52N50P2
IXFT52N50P2 Elektronické komponenty
IXFT52N50P2 Odbyt
IXFT52N50P2 Dodavatel
IXFT52N50P2 Distributor
IXFT52N50P2 Datová tabulka
IXFT52N50P2 Fotky
IXFT52N50P2 Cena
IXFT52N50P2 Nabídka
IXFT52N50P2 Nejnižší cena
IXFT52N50P2 Vyhledávání
IXFT52N50P2 Nákup
IXFT52N50P2 Chip