Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT6N100Q
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Číslo dílu
IXFT6N100Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16612 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT6N100Q
IXFT6N100Q Elektronické komponenty
IXFT6N100Q Odbyt
IXFT6N100Q Dodavatel
IXFT6N100Q Distributor
IXFT6N100Q Datová tabulka
IXFT6N100Q Fotky
IXFT6N100Q Cena
IXFT6N100Q Nabídka
IXFT6N100Q Nejnižší cena
IXFT6N100Q Vyhledávání
IXFT6N100Q Nákup
IXFT6N100Q Chip