Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT80N65X2HV
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXFT80N65X2HV
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268HV
Ztráta energie (max.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29152 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT80N65X2HV
IXFT80N65X2HV Elektronické komponenty
IXFT80N65X2HV Odbyt
IXFT80N65X2HV Dodavatel
IXFT80N65X2HV Distributor
IXFT80N65X2HV Datová tabulka
IXFT80N65X2HV Fotky
IXFT80N65X2HV Cena
IXFT80N65X2HV Nabídka
IXFT80N65X2HV Nejnižší cena
IXFT80N65X2HV Vyhledávání
IXFT80N65X2HV Nákup
IXFT80N65X2HV Chip