Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTF6N200P3
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXTF6N200P3
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS i4-PAC™
Ztráta energie (max.)
215W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
2000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9127 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTF6N200P3
IXTF6N200P3 Elektronické komponenty
IXTF6N200P3 Odbyt
IXTF6N200P3 Dodavatel
IXTF6N200P3 Distributor
IXTF6N200P3 Datová tabulka
IXTF6N200P3 Fotky
IXTF6N200P3 Cena
IXTF6N200P3 Nabídka
IXTF6N200P3 Nejnižší cena
IXTF6N200P3 Vyhledávání
IXTF6N200P3 Nákup
IXTF6N200P3 Chip