Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTH12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Číslo dílu
IXTH12N100Q
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 (IXTH)
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39436 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTH12N100Q
IXTH12N100Q Elektronické komponenty
IXTH12N100Q Odbyt
IXTH12N100Q Dodavatel
IXTH12N100Q Distributor
IXTH12N100Q Datová tabulka
IXTH12N100Q Fotky
IXTH12N100Q Cena
IXTH12N100Q Nabídka
IXTH12N100Q Nejnižší cena
IXTH12N100Q Vyhledávání
IXTH12N100Q Nákup
IXTH12N100Q Chip