Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTH30N50L
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Číslo dílu
IXTH30N50L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 (IXTH)
Ztráta energie (max.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16870 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTH30N50L
IXTH30N50L Elektronické komponenty
IXTH30N50L Odbyt
IXTH30N50L Dodavatel
IXTH30N50L Distributor
IXTH30N50L Datová tabulka
IXTH30N50L Fotky
IXTH30N50L Cena
IXTH30N50L Nabídka
IXTH30N50L Nejnižší cena
IXTH30N50L Vyhledávání
IXTH30N50L Nákup
IXTH30N50L Chip