Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTH30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Číslo dílu
IXTH30N60L2
Výrobce/značka
Série
Linear L2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 (IXTH)
Ztráta energie (max.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
335nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43306 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTH30N60L2
IXTH30N60L2 Elektronické komponenty
IXTH30N60L2 Odbyt
IXTH30N60L2 Dodavatel
IXTH30N60L2 Distributor
IXTH30N60L2 Datová tabulka
IXTH30N60L2 Fotky
IXTH30N60L2 Cena
IXTH30N60L2 Nabídka
IXTH30N60L2 Nejnižší cena
IXTH30N60L2 Vyhledávání
IXTH30N60L2 Nákup
IXTH30N60L2 Chip